FDP027N08B | |
---|---|
Номер частини | FDP027N08B |
Виробник | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Опис | MOSFET N-CH 80V 223A TO-220-3 |
Кількість доступних | 31500 pcs new original in stock. Запит на запас та пропозицію |
Модель ECAD | |
Технічні таблиці | FDP027N08B.pdf |
FDP027N08B Price |
Запит цін та час очікування онлайн or Email us: Info@ariat-tech.com |
Технічна інформація FDP027N08B | |||
---|---|---|---|
Номер деталі виробника | FDP027N08B | Категорія | Дискретні напівпровідникові продукти |
Виробник | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Опис | MOSFET N-CH 80V 223A TO-220-3 |
Пакет / Корпус | Tube | Кількість доступних | 31500 pcs |
Vgs (th) (Макс.) @ Id | 4.5V @ 250µA | Vgs (Макс) | ±20V |
Технологія | MOSFET (Metal Oxide) | Пакет пристрою постачальника | TO-220-3 |
Серія | PowerTrench® | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 2.7 mOhm @ 100A, 10V |
Розсіювання живлення (макс.) | 246W (Tc) | Упаковка | Tube |
Пакет / Корпус | TO-220-3 | Робоча температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Тип монтажу | Through Hole | Рівень чутливості вологи (MSL) | 1 (Unlimited) |
Статус безкоштовного статусу / RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds | 13530pF @ 40V |
Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs | 178nC @ 10V | Тип FET | N-Channel |
Особливість FET | - | Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на) | 10V |
Водовідведення до джерела напруги (Vdss) | 80V | Детальний опис | N-Channel 80V 120A (Tc) 246W (Tc) Through Hole TO-220-3 |
Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) | ||
Завантажити | FDP027N08B PDF - EN.pdf |
FDP027N08B запас | FDP027N08B Ціна | FDP027N08B Electronics | |||
Компоненти FDP027N08B | Інвентар FDP027N08B | FDP027N08B Digikey | |||
Постачальник FDP027N08B | Замовити FDP027N08B Інтернет | Запит FDP027N08B | |||
Зображення FDP027N08B | Зображення FDP027N08B | FDP027N08B PDF | |||
Таблиця FDP027N08B | Завантажте таблицю даних FDP027N08B | Виробник |
Пов'язані деталі для FDP027N08B | |||||
---|---|---|---|---|---|
Зображення | Номер частини | Опис | Виробник | Отримати цитату | |
FDP027N06B | FDP027N06B FAIRCHILD | FAIRCHILD | |||
FDP030N06B-F102 | MOSFET N-CH 60V 120A TO-220-3 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | |||
FDP023N08B-F102 | MOSFET N-CH 75V 120A TO-220-3 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | |||
FDP032N06 | FDP032N06 FAIRCHILD | FAIRCHILD | |||
FDP020N06BH | FDP020N06BH FAIRCHILD | FAIRCHILD | |||
FDP027N08B-F102 | MOSFET N-CH 80V 120A TO-220-3 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | |||
FDP030N06B | FDP030N06B FAIRCHILD | FAIRCHILD | |||
FDP027N08B_F102 | MOSFET N-CH 80V 120A TO-220-3 | N/A | |||
FDP025N06 | MOSFET N-CH 60V 120A TO-220 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | |||
FDP023N08B_F102 | MOSFET N-CH 75V 120A TO-220-3 | N/A | |||
FDP030N06B IC | FAIRCHILD TO-220 | FAIRCHILD | |||
FDP023N08B | FDP023N08B FAIRCHILD | FAIRCHILD | |||
FDP027N08B MOS | ON TO-220 | ON | |||
FDP030N06B_F102 | FDP030N06B_F102 N/A | N/A | |||
FDP023N08BH | FAIRCHILD TO-220 | FAIRCHILD | |||
FDP030N06BTU | FDP030N06BTU FAIRCHILD | FAIRCHILD | |||
FDP025N06 MOS | FAIRCHILD TO-220 | FAIRCHILD | |||
FDP020N06B-F102 | MOSFET N-CH 60V 120A TO-220-3 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | |||
FDP020N06B_F102 | MOSFET N-CH 60V 120A TO-220-3 | N/A | |||
FDP030N06 | MOSFET N-CH 60V 120A TO220 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Новини
БільшеПо мірі розвитку технології та інформаційного віку, оптичні мережі, ефективний та...
Він повідомив, що 16 квітня повідомив, що згідно з "Звіт про ринок глобального напів...
Шведський союз, якщо Metall оголосив 10 квітня, що страйк механіки Tesla є одним із найдо...
Нещодавно основні виробники зберігання, такі як Micron, Samsung та Western Digital, оголосили пр...
У повітрі нормальна об'ємна частка вмісту кисню становить приблизно 20,9%, але коли ...
нові продукти
БільшеФотоелектричний датчик серії PD30 Мініатюрні фотоелект...
XC112 / XR112 Оцінювальний комплект для імпульсного когерен...
Сервоприводи та двигуни серії MINAS A6 Сімейство MINAS A6 Panason...
Ультрафіолетова дошка драйверів Ультрафіолетова драй...
Промисловий та розширений тест DDR SDRAM Пристрої DDR SDRAM Insig...
Електронна пошта: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966ДОДАТИ: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Гонконг.